مشاهده / بستن موضوعات سایت

جزوه الکترونیک 3 دانشگاه صنعتی شریف (PDF)

جزوه الکترونیک 3 دانشگاه صنعتی شریف (PDF)
امتیاز 5 با 4 رأی

عنوان جزوه : الکترونیک 3

مخاطبان : دانشجویان رشته مهندسی برق و الکترونیک و دیگر علاقه مندان

 

جزوه الکترونیک 3

 

زبان : فارسی

فرمت فایل : PDF

حجم فایل : 1 مگابایت

نوع خط : تایپ شده

تعداد صفحات : 99

فهرست عناوین : برای مشاهده کلیک کنید

نمونه 1 : برای مشاهده کلیک کنید

نمونه 2 : برای مشاهده کلیک کنید

نمونه 3 : برای مشاهده کلیک کنید

دانشگاه : صنعتی شریف

قیمت : 1000 تومان

نحوه ارائه : پس از پرداخت آنلاین، به طور اتوماتیک لینک دانلود به شما نشان داده شده و میتوانید فایل را دانلود کنید.

← این جزوه تا این لحظه 167 بار دانلود (خریداری) شده است.

 

 برای مشاهده سایر جزوات و مقالات رشته مهندسی برق، اینجا را کلیک کنید

 

مشاهده این جزوه ها نیز به شما پیشنهاد میشود :

جزوه الکترونیک 2

جزوه مکاترونیک (PDF)

جزوه کامل تکنیک پالس

جزوه فیزیک عمومی 1 و 2 دانشگاه

 

بخشی از صفحه 1 جزوه :

مقدمه

فرض ما در تدوین مطالب این فصل بر آن است که دانشجویان با نحوه بایاس کردن DC انواع تقویت کننده های یک و چند طبقه و همچنین محاسبات AC آنها در فرکانس میانی آشنائی کامل دارند. اگر سؤال شود که منظور از فرکانس میانی چیست ؟ قطعاً شما در پاسخ خواهید گفت محدوده ای از فرکانس سیگنال ورودی که تمام خازن های کوپلاژ و بایپاس به صورت اتصال کوتاه و تمام خازن های پراکنده (parasitic) و ذخیره بار ترانزیستور (charge storage) به صورت اتصال باز عمل می کنند. بدین ترتیب در تمام محدوده فرکانس میانی مقادیر بهره، امپدانس ورودی و امپدانس خروجی ثابت خواهند ماند. اما میدانیم که محدوده فرکانسی هیچ تقویت کننده ای بینهایت نیست، با کاهش فرکانس سیگنال ورودی معمولا خازن های کوپلاژ و بایپاس و با افزایش آن خازنهای پراکنده و ذخیره بار عملکرد خطی مدار را تحت الشعاع خود قرار خواهند داد.

در این فصل عملکرد تقویت کننده های یک و چند طبقه در فرکانس بالا مورد بررسی قرار خواهند گرفت. برای رسیدن به این منظور میبایست مدار معادل مناسبی را برای قطعات فعال در اختیار داشته باشیم. به همین منظور ابتدا مطالبی در خصوص روش ساخت ترانزیستورها (بالاخص ساخت ترانزیستور در مدارات مجتمع) ارائه خواهیم نمود، سپس با توجه به ساختمان داخلی ترانزیستورها مدار معادل نوع هایبرید π ترانزیستورهای BJT و FET را ترسیم و در خصوص هر یک از عناصر موجود در مدار معادل مطالبی را ارائه خواهیم نمود. تعیین پاسخ فرکانسی مدارات یک طبقه با استفاده از روش های مختلف و در نهایت انتخاب مناسب ترین روش برای تعیین پاسخ فرکانسی یک مدار چند طبقه اهداف بعدی این فصل خواهند بود.

مراحل ساخت قطعات فعال

مراحل ساخت انواع مدارهای مجتمع و اغلب ترانزیستورهای مجزای جدید، مبتنی بر اجرای مجموعه ای از عملیات فوتولیتوگرافی (photolithography)، کشت یونی (Ion Implantation) یا نفوذ (diffusion) و رشد رونشستی (epitaxial growth) بر روی قطعه ای از ماده سلیسیمی به نام پولک (wafer) است. قبل از توصیف مراحل ساخت یک ترانزیستور، ابتدا در خصوص هر یک از مراحل فوق توضیحاتی ارائه خواهد شد.

فوتولیتوگرافی

با قرارگرفتن یک قطعه سیلیسیم بلورین در محیط اکسید کننده، لایه نازکی از سیلیسیم اکسیده شده (دی اکسید سلیسیم) روی سطح آن تشکیل خواهد شد (اکسیداسیون). این لایه مانند سدی در مقابل نفوذ نا خالصی ها به درون قطعه عمل می کند. به منظور وارد کردن ناخالصی به درون قطعه یا رشد لایه ای با ناخالصی متفاوت برای تولید پیوند PN میبایست به نحوی بخشی از لایه اکسید شده زدوده شود. زدودن انتخابی لایه اکسید شده در نواحی مورد نظر از طریق نقاب کشی و حکاکی انجام می گیرد. مراحل این فرایند در شکل فرضی 1-1 نمایش داده شده است. فرض کنید که لایه اولیه یا همان پولک از سلیسیم نوع P باشد. ابتدا با انجام عمل اکسیداسیون لایه ای اکسید شده به ضخامت 0.2 تا 1 میکرون روی سطح فوقانی پولک ایجاد می کنیم. پولک بدست آمده بعد از این مرحله در شکل 1-1 (الف) نشان داده شده است. برای زدودن لایه دی اکسید سلیسیم از نواحی انتخابی، ابتدا سطح اکسید شده پولک با لایه نازکی از ماده حساس به نور مطابق شکل 1-1 (ب) پوشانده می شود، این لایه حساس به نور فوتورزیست نام دارد و نمونه ای از آن فوتورزیست کداک یا KPR است. اگر نورماوراء بنفش به این لایه تابانده شود، فوتورزیست پلیمریزه خواهد شد. فوتورزیست پلیمریزه نشده ( نواحی نور ندیده) درمحلول شیمیائی تری کلرواتیلن حل می شود، در حالی که این محلول شیمیائی بر فوتورزیست نور دیده (پلیمریزه شده) اثری نخواهد داشت. برای انتخاب نواحی مورد نظراز نقابی نوری موسوم به ماسک استفاده می شود. ماسک عبارتست از یک صفحه شفاف که نواحی مورد نظرروی آن کاملا سیاه شده است. این ماسک روی صفحه پوشیده شده با فوتورزیست قرار می گیرد و مطابق شکل 1-1 (ج) به آن نور ماوراء بنفش تابانده می شود، سپس با برداشتن ماسک پولک درمحلول تری کلرواتیلن قرار می گیرد و بدین ترتیب مطابق شکل 1-1 (د) فوتورزیست پلیمریزه نشده از روی صفحه پاک خواهد شد و حال آنکه لایه پلیمریزه شده روی صفحه باقی خواهد ماند ( به این عمل اصطلاحاً ظهور می گویند). لایه فوتورزیست باقی مانده در مقابل محلول شیمیائی بعدی که برای زدودن دی اکسید سلیسیم بکار خواهد رفت کاملا مقاوم است. اسید هیدروفلوریک محلولی است که می تواند دی اکسید سیلیسیم را در خود حل کند، بدین ترتیب با قرار دادن پولک در این محلول لایه اکسید زدوده و مطابق شکل 1-1 (ه) پنجره ای به روی لایه اولیه سیلیسیم باز خواهد شد. فوتورزیست باقیمانده بعداً به وسیله یک حلال شیمیائی (اسید سولفوریک غلیظ) زدوده می شود و نهایتاً نمونه راهمراه با تعدادی حفره (دریچه) در لایه دی اکسید سلیسیم در محل های مورد نظر مطابق شکل 1-1 (و) بر جای می گذارد.

 

 

 

 

توجه : در صورت برخورد با هر گونه مشکلی در مراحل پرداخت، از طریق صفحه تماس با ما، به پشتیبانی سایت اطلاع دهید.

توجه : اگر شما نویسنده این جزوه هستید و درخواست حذف آن از سایت را دارید، از طریق صفحه تماس با ما، به ما اطلاع دهید.

Danial (خریدار این جزه)
1396/9/26 - در 12:47 ق.ظ

دمتون گرم عالی بود

© تمامی حقوق برای جزوه کده محفوظ است.